Статья 10216
Название статьи |
ПРИМЕНЕНИЕ РЕНТГЕНОВСКОЙ МИКРОТОМОГРАФИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОРИСТОСТИ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
Авторы |
Нищев Константин Николаевич, кандидат физико-математических наук, доцент, директор Института физики и химии, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева (Россия, г. Саранск, ул. Большевистская, 68), nishchev@inbox.ru |
Индекс УДК |
539.217.1 |
DOI |
10.21685/2072-3040-2016-2-10 |
Аннотация |
Актуальность и цели. Эксплуатационные характеристики и надежность силовых полупроводниковых приборов (СПП) определяются как качеством электрически активного полупроводникового элемента, так и свойствами материала термокомпенсатора (ТК), обеспечивающего снижение уровня термомеханических напряжений в конструкции прибора. ТК, являясь одним из электродов СПП, служит также для отвода тепла, выделяющегося в процессе эксплуатации прибора. Исследования, направленные на поиск новых материалов, обеспечивающих необходимый комплекс функциональных характеристик ТК, являются актуальными. Проведенными ранее исследованиями установлено, что перспективными материалами ТК СПП могут быть металломатричные композиционные материалы (МКМ). Важнейшим параметром, определяющим функциональные характеристики ТК из МКМ, является пористость композиционного материала. Целью работы является исследование возможностей рентгеновской микротомографии для получения информации о распределении пористости в МКМ, применяемых для изготовления ТК СПП. |
Ключевые слова |
силовые полупроводниковые приборы, термокомпенсатор, композиционные материалы, пористость, рентгеновская микротомография. |
![]() |
Скачать статью в формате PDF |
Список литературы |
1. Novich, B. E. Aluminum/Silicon Carbide (AlSiC) Metal Matrix Composites For Ad-vanced Packaging Applications / B. E. Novich, R. W. Adams // Proceedings of the In-ternational Electronics Packaging Conference, IEPS, 1995 September 24–27. – San Di-ego CA, 1995. – P. 220–227. |
Дата обновления: 20.10.2016 11:28